|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 42 van 83 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved interface state density by low temperature epitaxy grown AlN for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor diodes |
| Auteur: |
Whiteside, M. Arulkumaran, S. Dikme, Y. Sandupatla, A. Ng, G.I. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 262 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 42 van 83 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |