|
Gallium-doped germanium epitaxial layers grown on silicon substrates by hot wire chemical vapor deposition |
|
|
|
Titel: |
Gallium-doped germanium epitaxial layers grown on silicon substrates by hot wire chemical vapor deposition |
Auteur: |
Shengurov, V.G. Denisov, S.A. Yu. Chalkov, V. Filatov, D.O. Kudrin, A.V. Sychyov, S.M. Trushin, V.N. Zaitsev, A.V. Titova, A.M. Alyabina, N.A. |
Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
Paginering: |
Jaargang 259 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2020 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|