|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical properties of RF-sputtered Zn-doped GaN films and p-Zn-GaN/n-Si hetero junction diode with low leakage current of 10−9 A and a high rectification ratio above 105 |
| Auteur: |
Tuan, Thi Tran Anh Kuo, Dong-Hau Saragih, Albert Daniel Li, Guan-Zhang |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 222 (2017) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |