|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Low temperature molecular beam epitaxy of Al(Ga)InAs on InP and its application to high electron mobility transistor structures |
| Auteur: |
Künzel, H. Böttcher, J. Hase, A. Heedt, C. Hoenow, H. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 22 (1993) nr. 1 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |