|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
The effects of ionizing radiation on GaAs/AlGaAs and InGaAs/AlInAs heterojunction bipolar transistors |
| Auteur: |
Witmer, S.B. Mittleman, S.D. Lehy, D. Ren, F. Fullowan, T.R. Kopf, R.F. Abernathy, C.R. Pearton, S.J. Humphrey, D.A. Montgomery, R.K. Smith, P.R. Kreskovsky, J.P. Grubin, H.L. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 20 (1993) nr. 3 pagina's 12 p. |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |