|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical and structural properties of Mg-doped In x Ga1−x N (x ≤0.1) and p-InGaN/n-GaN junction diode made all by RF reactive sputtering |
| Auteur: |
Kuo, Dong-Hau Tuan, Thi Tran Anh Li, Cheng-Che Yen, Wei-Chun |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 193 (2015) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |