|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
On epitaxial Si 1−x Ge x thin film growth by chemical vapour deposition from a silane, germane, hydrogen chloride and hydrogen gas mixture |
| Auteur: |
Kühne, H. Morgenstern, Th. Zaumseil, P. Krüger, D. Ritter, G. Richter, H. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 19 (1993) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |