|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
The role of deep level traps in barrier height of 4H–SiC Schottky diode |
| Auteur: |
Zaremba, G. Adamus, Z. Jung, W. Kamińska, E. Borysiewicz, M.A. Korwin-Mikke, K. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 177 (2012) nr. 15 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 31 gevonden artikelen
| << vorige |