|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of gate edge effect on interface trap density in 3C–SiC MOS capacitors |
| Auteur: |
Gutt, T. Małachowski, T. Przewłocki, H.M. Engström, O. Bakowski, M. Esteve, R. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 177 (2012) nr. 15 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |