|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved GaAs/Ga 1−x Al x As chemical beam epitaxy using triisopropylgallium |
| Auteur: |
Lane, P.A. Martin, T. Whitehouse, C.R. Freer, R.W. Houlton, M.R. Calcott, P.D.J. Lee, D. Pitt, A.D. Jones, A.C. Rushworth, S. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 17 (1993) nr. 1-3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |