|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
A two-step annealing process for Ni silicide formation in an ultra-thin body RF SOI MOSFET |
| Auteur: |
Ahn, Chang-Geun Kim, Tae-Youb Yang, Jong-Heon Baek, In-Bok Cho, Won-ju Lee, Seongjae |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 147 (2008) nr. 2-3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |