|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
The role of extended defects on transient boron diffusion in ion-implanted silicon |
| Auteur: |
Schreutelkamp, R.J. Custer, J.S. Raineri, V. Lu, W.X. Liefting, J.R. Saris, F.W. Janssen, K.T.F. van der Meulen, P.F.H.M. Kaim, R.E. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 12 (1992) nr. 4 pagina's 19 p. |
| Jaar: |
1992 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 18 gevonden artikelen
| << vorige |