|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Demonstration of AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors with silicon-oxy-nitride as the gate insulator |
| Auteur: |
Balachander, K. Arulkumaran, S. Egawa, T. Sano, Y. Baskar, K. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 119 (2005) nr. 1 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |