|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
High temperature and high frequency characteristics of AlGaN/GaN MOS-HFETs with photochemical vapor deposition SiO2 layer |
| Auteur: |
Wang, C.K. Chuang, R.W. Chang, S.J. Su, Y.K. Wei, S.C. Lin, T.K. Ko, T.K. Chiou, Y.Z. Tang, J.J. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 119 (2005) nr. 1 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |