|
Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on (100) silicon by C60 and Si molecular beam epitaxy |
|
|
|
Titel: |
Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on (100) silicon by C60 and Si molecular beam epitaxy |
Auteur: |
Volz, K Schreiber, S Gerlach, J.W Reiber, W Rauschenbach, B Stritzker, B Assmann, W Ensinger, W |
Verschenen in: |
Materials science and engineering. A, Structural materials: properties, microstructure and processing |
Paginering: |
Jaargang 289 (2000) nr. 1-2 pagina's 10 p. |
Jaar: |
2000 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Science S.A. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|