|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Critical issues in ion implantation of silicon below 5 keV: Defects and diffusion |
| Auteur: |
Agarwal, Aditya Gossmann, H.-J Eaglesham, D.J Pelaz, L Jacobson, D.C Poate, J.M Haynes, T.E |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. A, Structural materials: properties, microstructure and processing |
| Paginering: | Jaargang 253 (1998) nr. 1-2 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science S.A. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |