|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Electronic properties and device design of ferroelectric Al2O3/GaN heterostructure |
| Auteur: |
Ding, X. Si, J.B. Zhang, Y. Tang, L. Ma, J.H. Xie, Y.H. Deng, X.Q. |
| Verschenen in: |
Physics letters. A |
| Paginering: | Jaargang 497 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |