|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
Nonvolatile resistive switching memory behavior of the TiOx-based memristor |
| Auteur: |
Elshekh, Hosameldeen Wang, Hongyan Zhu, Shouhui Yang, Chuan Wang, Jiangqiu |
| Verschenen in: |
Chemical physics |
| Paginering: | Jaargang 580 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |