|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3862 van 4350 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of ion-implantation on the effective Schottky barrier height of NiGe/n-Ge contacts |
| Auteur: |
Tang, Mengrao Cai, Honghao |
| Verschenen in: |
Chemical physics |
| Paginering: | Jaargang 530 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3862 van 4350 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |