|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of annealing at argon pressure up to 1.2 GPa on hydrogen-plasma-etched and hydrogen-implanted single-crystalline silicon |
| Auteur: |
Misiuk, A Bąk-Misiuk, J Barcz, A Romano-Rodriguez, A Antonova, I.V Popov, V.P Londos, C.A Jun, J |
| Verschenen in: |
International journal of hydrogen energy |
| Paginering: | Jaargang 26 (2001) nr. 5 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
International Association for Hydrogen Energy |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |