|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 110 gevonden artikelen
| Titel: |
A critical review of AlGaN/GaN-heterostructure based Schottky diode/HEMT hydrogen (H2) sensors for aerospace and industrial applications |
| Auteur: |
Ajayan, J. Nirmal, D. Ramesh, R. Bhattacharya, Sandip Tayal, Shubham Leo Joseph, L.M.I. Raju Thoutam, Laxman Ajitha, D. |
| Verschenen in: |
Measurement |
| Paginering: | Jaargang 186 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 110 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |