|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 28 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of edge effects on the determination of the doping profile of silicon pad diodes |
| Auteur: |
Fretwurst, E. Garutti, E. Hufschmidt, M. Klanner, R. Kopsalis, I. Schwandt, J. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 867 (2017) nr. C pagina's 231-236 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 28 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |