|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of total ionizing dose effect and displacement damage in 65nm CMOS transistors exposed to 3MeV protons |
| Auteur: |
Ding, Lili Gerardin, Simone Bagatin, Marta Bisello, Dario Mattiazzo, Serena Paccagnella, Alessandro |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 796 (2015) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |