|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of the accumulation layer and charge losses at the Si–SiO2 interface in p + n-silicon strip sensors |
| Auteur: |
Poehlsen, Thomas Becker, Julian Fretwurst, Eckhart Klanner, Robert Schwandt, Joern Zhang, Jiaguo |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 721 (2013) nr. C pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |