|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of γ-ray irradiation on breakdown voltage, ideality factor, dark current and series resistance of GaAs p–i–n diode |
| Auteur: |
Pillai, Vinu R.V. Khamari, Shailesh K. Dixit, V.K. Ganguli, T. Kher, S. Oak, S.M. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 685 (2012) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |