|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
The equivalence of displacement damage in silicon bipolar junction transistors |
| Auteur: |
Liu, Chaoming Li, Xingji Geng, Hongbin Rui, Erming Guo, Lixin Yang, Jianqun Xiao, Liyi |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 677 (2012) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |