|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 33 van 48 gevonden artikelen
| Titel: |
Radiation effects in silicon-on-insulator transistors with back-gate control method fabricated with OKI Semiconductor 0.20μm FD-SOI technology |
| Auteur: |
Kochiyama, M. Sega, T. Hara, K. Arai, Y. Miyoshi, T. Ikegami, Y. Terada, S. Unno, Y. Fukuda, K. Okihara, M. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 636 (2011) nr. 1S pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 33 van 48 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |