|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 48 gevonden artikelen
| Titel: |
Properties of a radiation-induced charge multiplication region in epitaxial silicon diodes |
| Auteur: |
Lange, J. Becker, J. Fretwurst, E. Klanner, R. Lindström, G. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 622 (2010) nr. 1 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 48 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |