|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 178 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of microdefects in a silicon single crystal by diffuse X-ray scattering using synchrotron radiation |
| Auteur: |
Kim, Hante Gotoh, Shun Ji Takahashi, Toshio Ishikawa, Tetsuya Kikuta, Seishi |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 246 (1986) nr. 1-3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1986 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 178 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |