|
Analysis of MOS capacitor with p layer with TCAD simulation |
|
|
|
Titel: |
Analysis of MOS capacitor with p layer with TCAD simulation |
Auteur: |
Unno, Y. Bach, E. Dandoy, J. Fadeyev, V. Fleta, C. Jessiman, C. Keller, J. Klein, C.T. Koffas, T. Staats, E. Ullan, M. |
Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
Paginering: |
Jaargang 1071 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2025 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|