|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 34 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
TCAD modeling of radiation-induced defects in 4H-SiC diodes |
| Auteur: |
Gaggl, Philipp Burin, Jürgen Gsponer, Andreas Waid, Simon-Emanuel Thalmeier, Richard Bergauer, Thomas |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 1070 () nr. P1 pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 34 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |