|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of NO annealing on radiation detection performance of Ni/SiO2/4H-SiC MOS capacitors |
| Auteur: |
Ren, Lei Han, Yuncheng Meng, Xiangdong He, Houjun Wang, Xiaoyu Zhan, Tongzhou Yu, Jie |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
| Paginering: | Jaargang 1070 () nr. P1 pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |