|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Defect levels of proton-irradiated silicon with doses ranging from 1 × 1012 cm−2 to 1 × 1013 cm−2 |
| Auteur: |
Barbot, J.F. Ntsoenzok, E. Blanchard, C. Vernois, J. Isabelle, D.B. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 95 (1995) nr. 2 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |