|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Rapid thermal annealing of Si1−x Ge x layers formed by germanium ion implantation |
| Auteur: |
Xia, Z. Saarilahti, J. Ronkainen, H. Eränen, S. Suni, I. Molarius, J. Kuivalainen, P. Ristolainen, E. Tuomi, T. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 88 (1994) nr. 3 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1994 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |