|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 186 gevonden artikelen
| Titel: |
A method of improving the SIMS analysis of Si in GaAs by monitoring SiO2 − ions at oblique angles of bombardment |
| Auteur: |
Sharma, V.K.M. McPhail, D.S. Hsu, C.M. Fahy, M.R |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 85 (1994) nr. 1-4 pagina's 391-394 |
| Jaar: |
1994 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 186 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |