|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Regrowth behaviour of Si1−x Ge x/Si structures formed by Ge+ ion implantation and post amorphisation |
| Auteur: |
Zhang, J.P. Wilson, R.J. Hemment, P.L.F. Claverie, A. Cristiano, F. Salles, P. Wen, J.Q. Evans, J.H. Peaker, A.R. Parker, G.J. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 84 (1994) nr. 2 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1994 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |