|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
The electrical properties of planar n+−p junctions in InAs produced by S+ ion implantation |
| Auteur: |
Gerasimenko, N.N. Kuryshev, G.L. Myasnikov, A.M. Obodnikov, V.I. Safronov, L.N. Khryashchev, G.S. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 58 (1991) nr. 2 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1991 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |