|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Ion-induced transformation of shallow defects into deep-level defects in GaN epilayers |
| Auteur: |
Singh, Kamal Batra, Yogita Rathi, Vaishali Kumar, Parmod Kanjilal, D. Kumar, Tanuj Brajpuriya, Ranjeet K. Kumar, Ashish |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 552 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |