|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 184 gevonden artikelen
| Titel: |
A dual source low-energy ion implantation system for use in silicon molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Gottdang, A. Eich, K. Hassenbürger, A. Schulte, W.H. Cleff, B. Mous, D.J.W. Koudijs, R. van de Walle, G.F.A. Politiek, J. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 55 (1991) nr. 1-4 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1991 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 184 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |