|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 184 gevonden artikelen
| Titel: |
Annealing behavior of dislocation loops near the projected ion range in high-dose As+- and P+-implanted (001) Si |
| Auteur: |
Hsu, S.N. Chen, L.J. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 55 (1991) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1991 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 184 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |