|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of crystalline Si1-xGex top layers by ion implantation in crystalline silicon |
| Auteur: |
Nélis, A. Chicoine, M. Schiettekatte, F. Terwagne, G. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 538 () nr. C pagina's 17-23 |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |