|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Dependence of silicon film density deposited on a sapphire substrate on growth conditions during partially ionized evaporation |
| Auteur: |
Ashurov, H.B. Budrevich, A.G. Ljutovich, A.S. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 51 (1990) nr. 4 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
1990 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |