|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Defect and majority carrier distribution in silicon resulting from Ar+Si+, B+ and As+ ion implantation and annealing |
| Auteur: |
Gerasimenko, N.N. Mazhirin, A.P. Nagdaev, E.N. Verner, I.V. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 51 (1990) nr. 1 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1990 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |