|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Deep levels in ion implanted n-type homoepitaxial GaN: Ion mass, tilt angle and dose dependence |
| Auteur: |
Alfieri, G. Sundaramoorthy, V.K. Micheletto, R. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 490 () nr. C pagina's 39-42 |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |