|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 41 van 46 gevonden artikelen
| Titel: |
Recrystallization effects in GeV Bi ion implanted 4H-SiC Schottky barrier diode investigated by cross-sectional Micro-Raman spectroscopy |
| Auteur: |
Huang, Mingmin Yang, Zhimei Wang, Shaomin Liu, Jiyuan Gong, Min Ma, Yao Liu, Jie Zhai, Pengfei Sun, Youmei Li, Yun |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 478 () nr. C pagina's 5-10 |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 41 van 46 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |