|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of nitrogen ion implantation in semi insulating 6H-SiC and recrystallization probed by Raman scattering |
| Auteur: |
Kamalakkannan, K. Rajaraman, R. Sundaravel, B. Amarendra, G. Sivaji, K. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 457 () nr. C pagina's 24-29 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |