|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Transmission electron microscopy study of extended defects in high dose He-implanted GaN after annealing at 450 °C |
| Auteur: |
Li, Bingsheng Liu, Yuzhu Liu, Huiping Kang, Long Xiong, Anli |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 454 (2019) nr. C pagina's 45-49 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 11 gevonden artikelen
| << vorige |