|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 81 gevonden artikelen
| Titel: |
Depth profiling of interfacial fluctuation with nanometer order in ultrathin silicon-on-insulator structure by classical Rutherford backscattering using 10B ions |
| Auteur: |
Hoshino, Y. Toyohara, T. Takada, S. Yachida, G. Nakata, J. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 450 () nr. C pagina's 118-121 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 81 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |