|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
A study on implanted impurity activation in silicon and in situ observation of residual defects in high voltage TEM |
| Auteur: |
Zhang, Tonghe |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 44 (1990) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1990 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |