|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of the interfacial states by swift heavy ion induced atomic migration in 4H-SiC Schottky barrier diodes |
| Auteur: |
Yang, Zhimei Lan, Fan Li, Yun Gong, Min Huang, Mingmin Gao, Bo Hu, Junkui Ma, Yao |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 436 (2018) nr. C pagina's 244-248 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |